Flash存储单元中所存储的数据是0还是1，是完全由存储单元的电学性能决定的。这样，要读出其中的数据，就只能通过电学的方法。当前的不少芯片，都设计有加密功能，在芯片数据写入之后，可以通过加密使得数据无法读出。要想得到已加密芯片内部存储的数据，需要对芯片进行反向分析，弄清楚芯片的加密原理，再针对性的对芯片做相应的解密操作（比如FIB电路修改），去除芯片的加密功能，然后读出其中数据。

 

　　组合层叠式存储器概述

 

　　组合层叠式ComboMemory 存储器产品是高度集成的方案,在单个或多芯片封装中组合了SST的SuperFlash技术和静态RAM。这些器件对于那些既需要flash和SRAM又受到空间限制的应用是理想的选择,如手机、传呼机、便携式消费电子产品、移动通信和和手持GPS设备等。组合层叠式ComboMemory 存储器系列包括二个产品系列：

 

　　32 系列：Flash和SRAM或者PSRAM集成到单个多芯片封装(MCP)，例如SST32HF802。

 

　　34 系列：双Bank Flash和SRAM或者PSRAM集成到一个多芯片封装(MCP)，例如SST34HF162G。

 

　　以下是SST34HF162G芯片解密特性分析，供广大客户参考借鉴。

 

　　SST34HF162G特性

 

　　Flash组织：1M X16

 

　　- 16Mbit；12Mbit+4Mbit

 

　　并发操作

 

　　- 在擦除/编程Flash的同时对SRAM进行读写操作

 

　　SRAM机构：

 

　　- 2Mbit：128K X16

 

　　单2.7-3.3V的读取和写入操作

 

　　卓越的可靠性

 

　　- 耐力：100,000次（典型值）

 

　　- 大于100年数据保存期

 

　　低功耗（典型值@ 5 MHz时）

 

　　- 工作电流：Flash 10 mA（典型值），SRAM 6 mA（典型值）

 

　　- 待机电流：10μA（典型值）

 

　　硬件扇区保护（WP＃）

 

　　- 保护4个最外层的大映射持有WP＃低，解除保护的扇区（4千字）持有WP＃高

 

　　硬件复位引脚（RST＃）

 

　　- 复位内部状态机来读取数据阵列

 

　　扇区擦除功能

 

　　- 统一2千字扇区

 

　　块擦除功能

 

　　- 统一32千字块

 

　　读取访问时间

 

　　- Flash：70 ns

 

　　- SRAM：70 ns

 

　　擦除暂停/擦除恢复功能

 

　　锁存地址和数据

 

　　快速擦除和字编程（典型值）：

 

　　- 扇区擦除时间：18ms

 

　　- 块擦除时间：18ms

 

　　- 芯片擦除时间：35ms

 

　　- 编程时间：7μs

 

　　自动写时序

 

　　- 内部VPP生成

 

　　结束写检测

 

　　- 触发位

 

　　- 数据＃轮询

 

　　CMOS I/ O兼容性

 

　　JEDEC标准指令集

 

　　封装可供选择

 

　　- 48球LFBGA（6mm×8mm）

 

　　- 48球LBGA（10mm×12mm）

 

　　- 无铅封装（无铅）

 

    深圳天游ty8线路检测中心登录科技是国内最先进入抄板领域和加密狗复制的公司，拥有数十年的丰富经验，在医疗电子、工控设备、军事航天、通信设备、广电设备、交通设备、汽车电子、家用电子等行业都成功推出了多款创新产品，熟悉这些领域消费者的需求。为用户提供从电路板抄板、制作、贴片、插装、焊接、装配、测试、维修、检验、包装，到发运的全过程服务。STM32F，STM8S,R5F, NEC78F,NEC70F,PIC33FJ,PIC24HJ,PIC24FJ,PIC16F1947,PIC16F1937,PIC18F25K, M3062系列，TMS32，STC11，STC10，STC12， XC9536XL， XC9572XL， XC95144XL，LC4032，LC4064，LC4128，LC开头的芯片，IM4A5，IM4A3，MB开头，（富士通）芯片，MC开头（飞思卡尔和摩托罗拉），现代，三菱，HD开头（瑞萨）的芯片，PIC芯片，AT芯片，CY8C开头的芯片，M430F，EPM240，EPM570，EPM开头的芯片，LPC开头的芯片，ST开头的芯片，ISPLSI开头的芯片等等，我们做这些芯片价格和技术上很有优势的。有需要的请致电：0755-83048995   手机：18923766096       18902856696