自从芯片被发明出来后，短短几十年就成为了全球科技产业的基础，小小的一颗芯片，牵动着全球的神经，特别是在近两年，表现更为突出。

而芯片发展到现在，也经历了所谓的三代，其中硅基芯片是第一代半导体，而GaAs、InP等认为是第二代半导体材料，而将Sic、GaN等认为是第三代半导体材料。

而随着电动汽车、5G等技术的到来，大家认为第三代半导体材料为基础的芯片产业，应该能够得到大大的发展，所以全球都在研究第三代半导体材料，比如SiC、GaN等。

目前GaN的应用比较多了，特别是在充电技术领域，比如电动车、甚至手机快速充电器领域，都应用了GaN技术。

而昨天，“意法半导体中国”官方微信宣布，意法半导体（简称“ST”）瑞典北雪平工厂成功制造出了，全球第一批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。

SiC材料不像硅，制造是比较难的，一方面是因为它太硬了，碳化硅单晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，仅仅比金刚石的硬度低0.5左右。另外一方面比较脆，所以制造成大的晶圆是比较困难的，加工门槛非常高。

但SiC半导体具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，主要应用于高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域。

目前在SiC晶圆这一块，排在第一位的Cree差不多占了60%的市场，其次是美国II-VI公司，市场份额约为16%，现在ST能够制造出8寸的SiC晶圆时，代表着其在第三代半导体技术上，也达到了全球领先的地步，或将改变全球SiC的产业格局。

但从另外一方面来看，那就是我们真的要加油了，第一代半导体我们是比较落后了，第二代半导体也没能领先，现在第三代可不能再落后了。