1月9日，英特尔(Intel)宣布与美光(Micron)即将在第三代3D NAND之后分道扬镳。今日台湾DIGITIMES报道指出，业界透露英特尔在3D NAND布局押宝大陆市场，不仅扩充大陆12吋厂的产能，后续不排除以技术授权等方式，加速携手紫光集团，届时恐颠覆NAND Flash产业。 

    报道指出，英特尔在2012年开始陆续退出新加坡厂的股份，并降低对IM Flash合资厂的持股，英特尔更开始扩张大陆市场，将大连厂改装成3D NAND工厂，埋下英特尔与美光在3D NAND布局各奔前程的伏笔。观察近些年英特尔在NAND Flash的策略，早已步步疏离美光，双方正式宣告离异，业界并不惊讶。 

    DIGITIMES称，紫光集团与英特尔一直有意扩大合作，传出有延伸至存储器产业的迹象，业界推测英特尔与美光“分手”的原因之一，可看作英特尔大连3D NAND厂与紫光集团展开合作所做的前期布局。 

    至于两家公司分道扬镳的理由，此前有业界人士分析，在NAND堆叠层数破百后，需要调整String Stacking的堆叠方式，因为双方对此看法不同，因而分手。另外一种可能是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Charge trap），三星电子等厂商均采用这一方式，英特尔/美光是唯一采用浮闸（floating gate）架构的厂商。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但这相当于承认失败，表明从2D NAND转换成3D NAND后，选用浮闸是一个错误决定，因而闹翻。 

    据DIGITIMES援引NAND Flash产业人士分析，若英特尔与紫光集团合体进攻3D NAND市场，这将会是三星、东芝(Toshiba)等大厂最怕见到的情况，因为一旦大陆势力介入现在六强鼎立的3D NAND市场生态，恐让市场供需更快速失衡，陷入供过于求。站在英特尔角度，若英特尔引入紫光势力，不但可以给三星、东芝等阵营下马威，更可以有条件换取大陆更好的发展空间，这一招联陆抗日韩来说是非常不错的战术。 

    集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)也发表文章认为，美光与英特尔未来在独立开发NAND Flash技术后，也不排除寻求如中国厂商等其他厂商合作的可能性，以增加其市场影响力。 

    据分析，这一事件应该与紫光集团的关系不大。 

    据悉，在3D NAND制程方面，英特尔和美光已进入第二代产品可堆叠64层，目前正在研发第三代产品，预料将可实现96层的堆叠技术，有望在2018年底、2019年初问世。未来，两家公司还会继续共同研发3D XPoint 存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。 

    英特尔强调，双方都认为，独立之后，将能抽出更多精力优化自身产品、服务客户，且不会对路线图和技术节点造成影响。DRAMeXchange也表示，由于96层3D NAND直到2019年才逐渐成为主流，分析美光与英特尔拆分结盟的决议要到2020年后才会影响双方产品的规划与结构。