记忆体明年市况恐将不同调，动态随机存取记忆体（DRAM）市场仍将持续吃紧，储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场则将於明年上半年转为供过於求。 

    DRAM与NAND Flash市场今年都处於供不应求状态，產品价格同步高涨，只是业界普遍预期，明年DRAM与NAND Flash市况恐将不同调。 

    记忆体模组厂创见指出，DRAM市场供货持续吃紧，价格未见鬆动跡象。NAND Flash方面，随著3DNAND Flash技术日益成熟，生產良率改善，可望填补供货缺口。 

    另一记忆体模组厂威刚表示，短期内全球DRAM大厂仍理性看待產能议题，并未有大幅破坏產业生态的计画，持续正面看待DRAM市况。 

    NAND Flash方面，威刚指出，随著供应商3D NANDFlash良率逐步改善，预期明年第1季整体供需将出现转变。 

    美国记忆体製造厂美光（Micron）预期，明年DRAM位元供给将增加约20%，市场环境仍将持续健康；NANDFlash位元供给则将增加近50%，供给增加幅度将远高於DRAM。