研调机构IC Insights预估，今年半导体產业资本支出可望高达809亿美元，创下歷史新高纪录，年增幅达20％，优於研调机构预期。其中，资本支出成长幅度最高的为DRAM领域，年增幅高达53％。 

    IC Insights原先预估，全年半导体產业资本支出为756亿美元、年增12％，不过由於记忆体產业纷纷进行扩產及技术设备升级，使IC Insight调高今年资本支出。DRAM大厂SK海力士近期指出，已无法单靠製程升级增加获利，必须加大產能，因此加码今年资本支出预算。 
    IC Insights表示，虽然DRAM资本支出成为今年半导体產业中的成长王，但Flash领域也不遑多让，Flash產业今年预估将投入190亿美元资本支出，高於DRAM產业的130亿美元。Flash產业投入资本支出原因不外乎研发3D NAND Flash製程，记忆体龙头三星於今年6月量產的平泽厂便是案例之一。 
    不过，IC Insight也示警，观察歷史经验，全球NAND Flash大厂疯狂投入资本支出可能将导致產能过剩，进而引发价格崩跌，从目前状况看来，三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝及武汉新芯等都计画在未来几年拉升3D NAND產能，因此未来3D NAND市场可能会出现价格走跌的风险。 
    至於晶圆代工仍是半导体產业资本支出冠军，IC Insights预估，晶圆代工领域今年将投入228亿美元、年增幅达4％，占所有领域比重为28％。晶圆代工龙头台积电的5奈米新厂将於本月在南科动工，总投资金额将高达2000亿元。 
    法人表示，半导体產业持续扩张，代表各大厂对后市景气保持乐观态度，其中又以DRAM產业成长最为快速，虽然IC Insight认为积极扩產恐导致价格衰退，不过以目前状况看来，物联网、汽车及伺服器对於记忆体需求不减反升，因此价格全面衰退与否仍需观察。