DRAM、NAND Flash和NOR Flash三大内存持续供货短缺，创下史上罕见同缺记录。其中DRAM和NAND内存，更写下史上最长涨势。 

内存业界表示，2008及2015年都出现过DRAM大涨，但多是因跌深或供货商发生爆炸意外所造成的供需失衡，且DRAM和NAND Flash产能会排挤，很少看到两大内存同涨。 

    这次DRAM和NAND内存两大内存缺货超乎预期且价格上涨，主要来自数据中心、移动设备及计算机三大领域应用需求强，前三大厂包括三星、SK海力士和美光等也未增建新厂，造成供货紧缩，DRAM与NAND同时大涨，涨这么久，已写下史上最长纪录。 

    除DRAM、NAND Flash外，NOR Flash也因美国二大供货商淡出，加上OLED面板必须导入作为储存保持OLED面板颜色饱和度参数，以及物联网及车用半导体等新应用大增，市场供应到明年都处于缺货。 

    近期全球DRAM龙头韩国三星电子通知相关电子委托制造厂，计划调涨第4季移动内存合约价，涨幅近一成，反映DRAM供货短缺仍未纾解，加上地缘政治紧张的预期心理，涨势可望延续至今年第4季。 

    不少分析师预期DRAM价格将在本季创高峰，但受到美光桃园N2厂氮气厂纯化设备毁坏影响，DRAM缺货不仅短期难解，价格涨势也超乎预期。 

    稍早集邦调查，7月DRAM合约价单月涨幅达4.6%，虽然美光桃园N2厂已陆续恢复生产，美光也计划在未来几个月增产，弥补这段时间生产线影响的缺口。但据调查，美光桃园N2厂这次受损及报废的12寸DRAM晶圆估计达5万片，且多数以供货给苹果手机和相关服务器用的低功耗移动DRAM，给全球最大移动内存供货商三星填补缺口的机会，并决定在第4季各大手机和移动设备备货旺季，调涨移动内存售价。