FinFET N+1工艺非常接近超强芯片7nm的制作流程，而且该工艺的不需要用到ASML公司生产的极紫外光刻机就能实现。长期以来，全世界芯片研制都依赖于美国ASML公司生产的极紫外光刻机，这款极紫外光刻机能够在极小的位置上刻录信息，可以说是制造芯片必备的机器。而一旦美国公司不愿出售光刻机，等于是直接阻止研制超薄芯片。

   我国现阶段还未能研制出与极紫光刻机性能相当的机器，但是发展国产芯片刻不容缓，否则慢一步都有可能被其他国家把住科技发展的命门。而现在，我国在芯片研制工艺上走出了一条另类的道路，即不需要极紫光刻机也能实现超薄芯片的制造，且性能不输超薄芯片。中国芯片工艺取得如此重大突破，不仅能够给华为研制的麒麟芯片带来转机，也给其他国产芯片带来新的生机。

   根据官方数据显示，2019年国内芯片自给率仅为30%左右，远远达不到科技大国的芯片自给率。现在国家重点扶持芯片产业发展，国产芯片加速发展，尤其是在新工艺的刺激下，国产芯片市场有望迎来一次大的自给率提升。根据专业数据预测，2025年我国芯片自给率或将达到70％，国产芯片可以做到自产自销，现在市场上使用的外国芯片，国产芯片都有非常大的替代空间。

   中国芯片新工艺的官宣也带动了股票市场一系列的看好反应。截止2020年最新证券数据，A股芯片产业规模升至2.64万亿元，市值是近年来的最高。芯片研制大户中芯国际、中兴通讯等占了市值三成以上。同时，北上资金给多只芯片股大幅加仓，例如圣邦股份、长川科技等受资金加仓的积极影响，其上涨空间超35％。市场的良好反馈无异于为我国芯片发展注入一剂定心丸，将鼓励芯片产业继续研发拥有自主产权的芯片。