4月16日，三星官网发布新闻稿，宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发，现已准备好向客户提供样品。

 

    与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

 

    跨越到5纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用EUV（极紫外光刻）技术，推动产品接近性能极限。

 

    除此之外，还可以将7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上，使得客户从7纳米向5纳米过渡时可以大幅降低成本，缩短5纳米产品的开发周期。

 

    三星表示，自2018年第四季度以来，三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施，包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外，三星晶圆厂已经开始向客户提供5纳米多项目晶圆服务。

 

    2018年10月，三星宣布将首次生产7纳米制程芯片，这是三星首个采用EUV光刻技术的产品。目前，三星已于今年年初开始批量生产7纳米芯片。

 

    除了7纳米与5纳米之外，三星还在与客户开发6纳米芯片，同样是一种基于EUV技术的芯片产品。

 

    芯片逆向，可以实现芯片设计技术再现过程，即对芯片进行逆向分析及研究，从而演绎并得出该产品的处理流程、组织结构、功能特性及技术规格等设计要素，以制作出功能相近，但又不完全一样的产品，有利于我国芯片技术快速发展。 天游ty8线路检测中心登录科技十多年专业PCB LAYOUT设计、IC解密、芯片解密、单片机解密、PCB抄板、PCB改板、BOM清单制作、原理图反推、多层高频板抄板（32层电路板）电路板克隆、调试样机、软件硬件研发设计、电路板批量生产加工、自有工厂。价格低、速度快、品质保证！有需要的请致电：0755-83048995   手机：18923766096       18902856696