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三星电子成功开发5G基站RFIC

 
    2月22日韩联社报导, 三星电子今天表示,它已成功开发出第五代(5G)基站的射频集成电路(RFIC)。
 
    三星电子表示,毫米波(mmWave)频段的覆盖范围已从800MHz扩展到1.4GHz,大大提高了数据传输速度。芯片尺寸小型化约36%。
 
    据三星称,该芯片降低了相位噪声,使其能够处理更清晰的无线电信号。
 
    使用28GHz或39GHz mmWave频谱频段的国家,如美国和韩国,是RFIC部署的主要目标市场。
    这张由三星电子提供的照片显示了第五代RFIC。(韩联社)
 
    该公司表示,三星将在今年第二季度开始商业化生产新的5G芯片,并在今年内开发出24GHz和47GHz频谱的芯片。
 
    此外,该公司还宣布开发数字/模拟前端(DAFE)ASIC,这是5G芯片组的另一个核心组件。DAFE是模拟和数字之间转换的关键,可将尺寸,重量和功耗降低约25%。
 
    “三星正凭借其创新解决方案(包括低功耗RFIC和DAFE ASIC)建立其5G领先地位,开创了数字化转型的新时代,”三星网络业务研发主管Jeon Jae-ho说。“我们很高兴地宣布我们完成了对这些新芯片组的开发,这些芯片组将在推动技术进步的同时发挥重要作用。”
 
 
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