MC9S08RD16芯片解密
MC9S08RD16 是低成本、高性能的HCS08 系列 8 位微控制器单元(MCU)的成员之一。该系列的所有 MCU 均采用增强型 HCS08 内核,并提供多种模块、内存大小、类型和封装形式。 Flash存储单元中所存储的数据是0还是1,是完全由存储单元的电学性能决定的。这样,要读出其中的数据,就只能通过电学的方法。当前的不少芯片,都设计有加密功能,在芯片数据写入之后,可以通过加密使得数据无法读出。要想得到已加密芯片内部存储的数据,需要对芯片进行反向分析,弄清楚芯片的加密原理,再针对性的对芯片做相应的解密操作(比如FIB电路修改),去除芯片的加密功能,然后读出其中数据。这就完成MC9S08RD16芯片解密了。
MC9S08RD16技术特性
电池寿命延长技术:
多种电源管理模式,包括低至 100 nA 的关断电流(电压 2V)
可选择采用内部定时器和内部振荡器的自动唤醒功能,当电压为 2V 时,其典型电流为 700 nA
1.8 V ~ 3.6 V 运行
需要时可以实现的高性能:
电压低至 1.8 V 时,最小指令周期达 125nsec(8 MHz 总线)
创新的内置触发/跟踪调试功能:
单线式背景调试模式
具有 9 种触发模式和 3 个断点的追踪功能
8 MHz 内部总线频率
具有块保护和加密功能的 16 K 字节 FLASH 存储器
1 K 字节的内置随机存取存储器(RAM)
能采用晶体或谐振器工作的低功耗振荡器,频率为 1 ~ 16 MHz
串行通信接口模块(SPII)
双通道、16 位定时器/脉宽调制器模块,每个通道都可选作输入捕捉、输出比较和边缘或中心对齐的 PWM 功能
在 1.8V 电压下可选择低电压检测/复位,还有低电池电压报警
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